схема оэ с ок

 

 

 

 

На практике применяются все три варианта включения: с Общим Эмиттером (ОЭ), с Общим Коллектором (ОК) и с Общей Базой (ОБ).Схема ОК: здесь все несколько иначе- напряжение, прилагаемое к базе транзистора так- же откроет его, но Основные схемы включения называются схемами с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором ( ОК). Схема с общим эмиттером (ОЭ). С точки зрения вх. и вых. параметров (за единицу возьмем схему с ОЭ) схема с ОБ имеет меньшее вх. и большее вых схема ОК меньшее вых. и большее вх. Схема с общим эмиттером. В зависимости от того, какой из выводов является общим для входной и выходной цепей, различают три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором ( ОК). Схемы включения: ОБ, ОЭ и ОК.3. Схема с ОЭ. Во многих вариантах, когда применяются биполярные транзисторы, схемы включения преимущественно делаются с общим эмиттером. Соответственно тому, какой из электродов в схеме включения транзистора будет являться общим, различают три основные схемы включения: с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ). Благодаря высокому коэффициенту усиления схема с ОЭ имеет преимущественное применение по сравнению с ОБ и ОК.(Величина "Н21э" - это статический коэффициент усиления данного экземпляра транзистора, включенного по схеме с Общим Эмиттером). Применяются три схемы включения: с общим эмиттером (ОЭ), с общей базой (ОБ) и общим коллектором ( ОК)—для БТ и аналогично с общим истоком (ОИ), общим затвором (ОЗ) и общим стоком—для ПТ. Транзисторные схемы с общим эмиттером, общей базой или общим коллектором. Усиление по току и напряжению в трех основных типах схем.Оэ - об - ок. Транзисторный вариант. Третья схема ДВА ПИСЬМА.

Присущая схеме с ОК обратная связь не только увеличивает входное сопротивление, но и уменьшает выходное. Его можно приблизительно считать равным сопротивлению эмиттера транзистора Давным-давно, когда я пытался заниматься радиолюбительством, для меня стали камнем преткновения схемы включения транзистора, те самые Общая база (ОБ), Общий эмиттер (ОЭ), Общий коллектор ( ОК). В зависимости от того, какой из выводов транзистора является общим для входа и выхода четырехполюсника, различают схему включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ), рис.7.3, общей базой (ОБ) рис.

7.6 а, и общим коллектором ( ОК) рис.7.6 б Основные схемы построения усилителей на биполярных транзисторах определяются возможными способами их включения — ОБ, ОЭ и ОК, кратко рассмотренными в гл. 4 базовые схемы усилителей со вспомогательными элементами показаны на рис. 7.1. В зависимости от того, какой электрод транзистора является общим для входного и выходного сигналов, различают три схемы включения транзистора (рис.1): с общей базой (ОБ) с общим эмиттером (ОЭ) с общим коллектором (ОК). Схема с общим коллектором. Дата добавления: 2015-07-23 просмотров: 1385 Нарушение авторских прав.Для анализа схем с ОК достаточно иметь ВАХ или параметры транзисторов с ОБ или ОЭ. Схема включения транзистора с общим коллектором. В отличие от схем с ОБ и ОЭ, в которых потенциал эмиттера был привязан к корпусу, в схеме с ОК потенциал эмиттера привязан к напряжению на нагрузке. 3.2.4. Схема с общим коллектором. Для схемы включения транзистора с ОК обычно справочные данные, в том числе по ВАХ, не приводятся.Для анализа схем с ОК достаточно иметь ВАХ или параметры транзисторов с ОБ или ОЭ. Схемы включения транзисторов. Всего таких схем применяется три: схема с общим эмиттером (ОЭ), схема с общим коллектором (ОК) и схема с общей базой (ОБ). Все эти схемы показаны на рисунке 2. Итак, вывод: смешивать схемы включения биполярных транзисторов (ОЭ, ОБ, ОК) никогда не стоит — иначе, получится нечто бестолковое и бесполезное. Необязательно. Типовая схема одиночного усилительного каскада с ОЭ.Транзистор является трехполюсником, поэтому он включается в схемы тремя различными способами. Для биполярного транзистора это включение с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК). Благодаря высокому коэффициенту усиления схема с ОЭ имеет преимущественное применение по сравнению с ОБ и ОК.(Величина "Н21э" - это статический коэффициент усиления данного экземпляра транзистора, включенного по схеме с Общим Эмиттером). При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером (ОЭ) входной сигнал подаётся на базу, а снимается с коллектора.В эмиттерном повторителе используется схема включения транзистора с общим коллектором ( ОК). В зависимости от того, какой из выводов транзистора является общим между источником сигнала на входе и выходной цепью транзистора, существуют три основные схемы включения транзистора в электрическую цепь: с об, с оэ, с ок. Полученная схема вобрала недостатки обоих исходных усилительных каскадов ( с ОК и ОЭ), но при этом не демонстрировала их достоинств! Получившийся каскад также давал значительное усиление по току (усиливал мощность в 100 раз Схема усилителя ОК. Назначение элементов в схеме ОК аналогично схеме ОЭ за исключением резистора RЭ. Он является эмиттерной нагрузкой и на нем выделяется изменяющееся напряжение за счет протекания тока, управляемого по цепи базы. При этом один из электродов обязательно будет общим. Он — то и определяет название способа включения транзистора: по схеме общего эмиттера (ОЭ), по схеме общего коллектора (ОК), по схеме общей базы (ОБ). Для создания усилительного каскада по схеме с ОЭ, следует создать начальный ток базы, такой, чтобы транзистор находился рабочем режиме.Схема включения транзистора с общим коллектором (ОК). Используя те же элементы, переделаем немного схему, включив Основные схемы включения транзисторов называются соответственно схемами с общим эмиттером(ОЭ), общим коллектором(ОК), общей базой(ОБ). Вместо слов с «с общим» иногда говорят «с заземлённым», хотя заземление бывает не всегда. Мы, конечно, могли бы сказать, что кроме этого в схеме с ОК входной сигнал подается не на эмиттерный, а на коллекторный переход (точнееУказанные обстоятельства показывают, что на практике разница между усилительными каскадами с ОЭ и с ОК очень невелика. Рис.18 Графики зависимости токов и напряжений транзистора n - p - n от времени в схеме ОК.Это схему можно рассматривать как схему с OЭ со 100- процентной ООС по напряжению с последовательной подачей его на вход. При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером (ОЭ) входной сигнал подаётся на базу, а выходной сигнал снимается с коллектора. При этом выходной сигнал инвертируется относительно входного Каскад с ОК используется в качестве входного каскада усилителя. Выходным током транзистора в схеме является ток эмиттера Так как h21Эможно считать IК, что позволяет использовать для расчета каскада ВАХ и систему Н-параметров транзистора, включенного по схеме с ОЭ. Основные схемы включения транзисторов называются соответственно схемами с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК).3.2. Схема с общим эмиттером (ОЭ). Основные схемы включения транзисторов называются соответственно схемами с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК).Схема с общим эмиттером (ОЭ). В отличие от схемы с ОЭ в схеме с ОК нагрузочный резистор включают не в цепь К, а в цепь Э и выходное напряжение снимают не с К VT, а с указанного нагрузочного резистора в цепи Э (рис. 12). Для биполярных транзисторов возможны три схемы включения, которые обладают способностью усиливать мощность: с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК). Существует три схемы включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), с общей базой (ОБ), с общим коллектором ( ОК). Термин общий означает, что данный электрод транзистора является общей точкой для входной и выходной цепи двух источников питания по Усилитель с ОБ имеет низкое входное сопротивление (50-100 Ом) и низкий коэффициент усиления по сравнению с усилителем по схеме с ОЭ.Рис. 24.3. Эмиттерный повторитель, или усилитель с ОК, (а). Как и для схемы с ОЭ (см. Рис. 3.15) построим нагрузочную линию (1) соответствующую первой системеТ.к. KU1 то UВхUВых, поэтому усилитель по схеме с ОК называют эмиттерным повторителем, поскольку выходной сигнал повторяет входной по фазе и амплитуде. Схема каскада с ОК с эмиттерной схемой термостабилизацией приведена на рисунке 2.26.где Cвх динCкCн/(H21э1), т.е. каскад с ОК имеет входную динамическую емкость меньшую, чем каскад с ОЭ Схемы ОБ, ОЭ, ОК отличаются входным и выходным сопротивлениями, усилением по напряжению, току и мощности. Численное значение каждого из этих параметров зависит от типа транзистора и условий его работы. 2) с общим коллектором ОК (эмиттерный повторитель) (рис. 1, б)Наибольшее распространение в усилителях получила схема с ОЭ. Следовательно, существуют 3 схемы подключения биполярного транзистора: ОЭ с общим эмиттером, ОБ общей базой, ОК общим коллектором.Схема включения с общей базой (ОБ) обеспечивает отличную частотную характеристику. Таким образом, транзистор, включенный по схеме с ОЭ, характеризуется большим усилением по току.В схеме с ОК происходит усиление по току и по мощности, усиления по напряжению нет. Общий эмиттер а в крации это ОЭ, подразумевает тот факт, что у входа данной схемы и выхода общий эмиттер.По этому эта схема называется с общим коллектором ОК. И в зависимости от того, что это за контакт, различают три схемы включения биполярных транзисторов: с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ). У каждой из них есть как достоинства, так и недостатки. Применяют три основные схемы включения транзисторов: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Такая терминология указывает, какой из электродов транзистора является общим для его входной и выходной цепей.

Схема включения транзистора с общим эмиттером предназначена для усиленияВходное сопротивление транзисторного каскада с ОЭ бывает от сотен Ом до единиц килоом, аВходное сопротивление транзисторного каскада с ОК бывает от десятков до сотен килоом, а выходное в Основные схемы включения транзисторов называются соответственно схемами с общим эмиттером (ОЭ), общей базой (ОБ) и общим коллектором (ОК).3.2. Схема с общим эмиттером (ОЭ). Схемы ОБ, ОЭ, ОК отличаются входным и выходным сопротивлениями, усилением по напряжению, току и мощности. Численное значение каждого из этих параметров зависит от типа транзистора и условий его работы.

Также рекомендую прочитать: